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PAGOODA 場效應(yīng)管廠家直銷
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場效應(yīng)管,MOS,MOSFET,晶體管
  

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  • 詳情說明

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一般是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。
場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
平尚科技高端技術(shù)電子元器件廠家,場效應(yīng)管品質(zhì)保障,品種齊全,可提供樣品,品質(zhì)保障,全面技術(shù)支持,歡迎來詢!
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